MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的半导体器件，由源（Source）、漏（Drain）和栅（Gate）三个主要区域组成。依照其“通道”(工作载流子的极性不同，可分为“N型“与“P 型”的两种类型，通又称为 NMOS与 PMOS。

MOSFET 的工作原理基于栅电压的控制。通过施加正电压或负电压到栅极，可以改变栅电场，进而影响通道中的载流子浓度。当栅电压施加在阈值电压之上时，形成一个导电通道，载流子可以从源端流向漏端，从而实现开关效果。控制栅电压的变化可以调整通道的导电性，从而控制电流流动。

二.上海雷卯MOS系列特点

(1) 从功率分有 小信号MOS 和功率MOS

(2) 从内阻分有 50-2000mΩ，10-50mΩ，0.7-10mΩ等。

(3) 从工艺上有Trench MOSFETS(-100V~150V)，SGT MOSFETS(30V~150V).

(4) 从电源来分有低压MOS(12-60V),中压MOS(100-500V) ,高压MOS(600-900V).

(5) 从封装是有PDFN3.3/5.6, TOLL,SOT23/-3/-5/-6,SOP8/TSSOP8，TO-252/251/220/263/247/3P, DFN1006,DFN1006-3,CSP1.1X1.1/2.14X1.4等

三．应用领域：

1) 电源领域类： AC/DC,同步整流， 移动储能(含移动电源、充电桩等)MOS、同步整流芯片 。

2) 消费品类：小风扇、电子烟、照明产品、玩具、成人用品等/MOS、TVS、三极管。

3) 工控/工具类：电机、工控主板、BLDC/BMS/控制板小信号MOS。

4) 网通/笔记本/穿戴类：笔记本电脑、台式机主板、路由器、机顶盒、IOT、手持POS，TWS, 智能手表、电子烟等/MOS、TVS、三极管等。

5) 汽车电子类：Motro控制、车灯/MOS等

四．雷卯MOSFET产品推荐（只展示部分MOSFET产品）

雷卯替代表部分展示

五．MOSFET 方案应用推荐

1）用于电动工具的MOSFET

用于电子烟的MOSFET

碳化硅SIC新能源汽车充电桩方案

方案应用背景：电动汽车充电，要求高功率、高直流电、大容量、高压电池快速充电、高可靠性、高效率、最少的产热量，所以需要一颗损耗小，速度快，高功率器件。雷卯碳化硅SIC 二极管和SIC MOSFET可应用在充电桩的重要电路PFC和全桥LLC，改善功率因数，提高系统效率和可靠性。

方案优点： 雷卯SIC二极管反向恢复时间快、高耐压、极低开关损耗。雷卯SIC MOSFET开关切换速度快、能做到高耐压大电流、高效率、高功率密度、模块体积小而轻，成本更低。

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上海雷卯电子科技有限公司，成立于2011年，品牌Leiditech，是国家高新技术企业。公司研发团队由留美博士和TI原开发经理组建，凭借技术精湛的研发队伍和经验丰富的电磁兼容行业专家，主要提供防静电TVS/ESD以及相关EMC元器件（放电管TSS/GDT、稳压管ZENER、压敏电阻MOV、整流二极管RECTIFIER、自恢复保险丝PPTC、场效应管MOSFET、电感）。

Leiditech围绕EMC电磁兼容服务客户，自建免费实验室为客户测试静电ESD（30KV）、群脉冲EFT(4KV)、浪涌（8/20，10/700 10/1000）、汽车抛负载（7637 5a/5b）和元器件的性能测试等。Leiditech紧跟国内外技术更新脉搏，不断创新EMC保护方案和相关器件，目标方向为小封装，大功率，为国产化替代提供可信赖方案和元器件。

MOSFET的简介

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称 MOSFET。是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为N-MOSFET与P-MOSFET, MOSFET 广泛用于电路电子开关。

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor (MOSFET). It is a kind of field-effect transistor that can be widely used in analog and digital circuits. MOSFET according to its "channel" (working carrier) polarity is different, can be divided into "N type" and "P type" of two types, usually known as N-MOSFET and P-MOSFETMOSFET widely used in circuit electronic switches.

MOSFET的选用技巧

1. 选用N沟道还是P沟道，在低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常是出于对电压驱动的考虑；

2. 额定电压越大，器件的成本就越高，VDS必须覆盖电路额定工作电压范围并且注意温度曲线；

3. 确定额定电流，额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流；

4. 选好额定电流后，还必须计算导通损耗。MOSFET在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS(ON)所确定，并随温度而显著变化。器件功率耗损可由Iload2×RDS(ON)计算也会随之按比例变化。对MOSFET施加的电压VGS越高，RDS(ON)就会越小；反之RDS(ON)就会要折中权衡的地方。对便携式设计来说，采用较设计，可采用较高的电压。注意RDS(ON)电阻会随着电流轻微上升；

5. 决定开关性能，是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要低，器件效率也下降。为计算开关过程中器件的总损耗，设计人员必须计算开通过程中的损耗(Eon)和关闭过程中的损耗(Eoff)。

1. Choose N channel or P channel, in the low-voltage side switch, N channel MOSFET should be used, which is due to the consideration of the voltage required for the off or on-device. When the MOSFET is connected to the bus and the load is grounded, the high-voltage side switch is used. This is usually due to the consideration of voltage drive;

2. The higher the rated voltage, the higher the cost of the device, the VDS must cover the rated operating voltage range of the circuit and pay attention to the temperature curve;

3. Determine the rated current, which should be the maximum current that the load can withstand under all circumstances;

4. After selecting the rated current, the on-off loss must also be calculated. The MOSFET acts like a variable resistor when it is "ON", determined by the RDS(ON) of the device, and varies significantly with temperature. Device power loss can be calculated by Iload2×RDS(ON) and varies proportionally accordingly. The higher the voltage VGS applied to the MOSFET, the smaller the RDS(ON) will be; RDS(ON), on the other hand, is a tradeoff. For portable designs, higher voltages can be used with a higher design. Note that the RDS(ON) resistance rises slightly with the current;

5. Determine the switching performance, which is the grid/drain, grid/source and drain source capacitance. These capacitors create switching losses in the device because they are lower each time they are switched and the device efficiency decreases. To calculate the total loss of the device during switching, the designer must calculate the loss during switching on (Eon) and the loss during switching off (Eoff).

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